4月13日，苏州东微半导体有限公司宣布：其自主研发的高压高速金氧半场效晶体管成功量产，并批量供应给部分国内充电桩企业。这不仅打破了国外厂商的长期垄断，而且产品的各项性能超过国外品牌。

一块拇指指甲大小的金氧半场效晶体管（MOSFET），只有几克重，却能承载超过700伏的电压，而导通电阻仅有30毫欧，实现了高效低耗的电能转 换，为充电桩的快速充电提供关键技术保障。昨天，苏州东微半导体有限公司举行产品发布会，宣布其自主研发的充电桩用高压高速金氧半场效晶体管 （MOSFET—GreenMOS）成功量产。目前，产品每月出货量达1000万颗，已出口到韩国、日本和德国市场，打破国外厂商的长期垄断。

据苏州东微半导体有限公司总经理龚轶介绍，目前国内充电桩企业使用的金氧半场效晶体管主要被德国英飞凌，日本东芝、富士，美国仙童等国际大厂商垄断。随着充电桩产业的快速发展，厂家大量采购进口品牌产品，市场一度缺货，价格大幅上扬。
 东微半导体经过两年自主研发，获得了新一代高压超级结技术专利，使金氧半场效晶体管的电能转换效率提升，具有动态损耗小、发热量低的优点，保证充电桩 工作时稳定不过热。经客户端实测，其栅电荷与寄生电容均大大优于国外同规格产品，整体性能超越国外品牌产品，达到了国际一流水平。

据介绍，东微半导体的产品不仅成功应用于充电桩，还广泛应用于各种高端电源系统，如手机、电视、工业电源、太阳能逆变等。今年，东微半导体还将进军新能源汽车核心驱动器件领域，其新一代产品基于半浮栅器件技术，实现了高性能、低成本制造，目前已开始小批量测试。

据了解，东微半导体原创的半浮栅器件技术论文曾在美国《科学》杂志上发表，标志着国内科学家在半导体核心技术方向获得重大突破。目前，该公司已拥有40多项发明专利和多项自主知识产权的国际原创核心器件技术。

这项技术不仅成功应用于充电桩，还广泛应用于各种高端电源系统，如手机，电视，工业电源，太阳能逆变等领域。据悉，今年东微半导体还将进军新能源汽车的核心驱动器件领域。